उत्पत्ति के प्लेस
Taiwan, Japan
आपूर्तिकर्ता प्रकार
मूल निर्माता
वोल्टेज-कलेक्टर Emitter टूटने (अधिकतम)
मूल
Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी
मूल
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce
मूल
बढ़ते प्रकार
छेद के माध्यम से
रोकनेवाला-Emitter आधार (R2)
मूल
FET के फ़ीचर
सिलिकॉन कार्बाइड (इस प्रकार)
नाली स्रोत वोल्टेज (Vdss)
मूल
वर्तमान-निरंतर नाली (आईडी) @ 25 °C
मूल
पर आरडीएस (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
मूल
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी
मूल
गेट प्रभारी (Qg) (अधिकतम) @ वीजीएस
मूल
इनपुट समाई (Ciss) (अधिकतम) @ Vds
मूल
वर्तमान रेटिंग (Amps)
मूल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम पर आरडीएस, न्यूनतम पर आरडीएस)
मूल
