उत्पत्ति के प्लेस
Guangdong, China
आपूर्तिकर्ता प्रकार
मूल निर्माता
वर्तमान-कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)
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वोल्टेज-कलेक्टर Emitter टूटने (अधिकतम)
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Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी
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वर्तमान-कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)
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डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce
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बढ़ते प्रकार
छेद के माध्यम से
रोकनेवाला-Emitter आधार (R2)
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FET के फ़ीचर
सिलिकॉन कार्बाइड (इस प्रकार)
नाली स्रोत वोल्टेज (Vdss)
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वर्तमान-निरंतर नाली (आईडी) @ 25 °C
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पर आरडीएस (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
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वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी
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गेट प्रभारी (Qg) (अधिकतम) @ वीजीएस
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इनपुट समाई (Ciss) (अधिकतम) @ Vds
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ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम पर आरडीएस, न्यूनतम पर आरडीएस)
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Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी
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इनपुट समाई (Cies) @ Vce
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वोल्टेज-टूटने (V (बीआर) जीएसएस)
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वर्तमान-नाली (Idss) @ Vds (वीजीएस = 0)
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वर्तमान नाली (आईडी)-मैक्स
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वोल्टेज-कटऑफ (वीजीएस बंद) @ आईडी
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करने के लिए वर्तमान-गेट एनोड रिसाव (Igao)
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Condition
New and Original
